SK하이닉스 '반도체 브레인' 집결…창사 이래 최대 R&D센터 내달 열어
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이천에 2000억 투입 15층 규모
D램부터 낸드까지 4000명 근무
D램부터 낸드까지 4000명 근무
SK하이닉스가 창사 이후 최대 규모의 연구개발(R&D)센터(사진)를 경기 이천에 문을 연다. 반도체 선행기술 연구자부터 D램과 낸드플래시 개발자까지 4000여 명의 인력이 한곳에 모임에 따라 시너지 효과를 기대하고 있다.
19일 업계에 따르면 ‘SK하이닉스 R&D센터’(사진)가 이달 인테리어 공사를 끝내고 다음달 중순부터 입주에 들어간다. 이천 본사 M14 반도체 공장 옆 부지에 들어선 R&D센터는 지하 5층~지상 15층에 연면적 9만㎡ 규모다. 총 투자비는 2000억원에 달한다.
새 R&D센터가 문을 열면 그동안 이천 본사 내 분산돼 있던 미래기술연구원(반도체 선행기술 연구)과 낸드플래시 개발사업 부문의 R&D 인력이 한 공간에 모인다. D램 개발사업 부문 등이 입주한 수펙스센터 및 R3 건물과도 가까워 SK하이닉스의 통합 R&D 단지가 될 전망이다. D램 및 낸드플래시 최신 생산 설비를 갖춘 M14 반도체 공장도 근처에 있어 개발과 생산 부문의 협업 효과를 낼 것으로 회사 측은 예상하고 있다.
SK하이닉스는 통합 R&D센터를 차세대 연구 허브로 삼는다는 방침이다. 이 회사는 올해 기존 제품에 비해 효율성과 용량을 크게 높인 3세대 10나노급 D램과 128단 낸드플래시 기반 솔루션 제품을 본격적으로 생산한다. 이석희 SK하이닉스 사장은 올해 초 신년사에서 “개발과 양산, 고객 대응 등 기획부터 판매까지 가장 최적화된 시스템으로 전환할 것”이라고 말했다.
김보형 기자 kph21c@hankyung.com
19일 업계에 따르면 ‘SK하이닉스 R&D센터’(사진)가 이달 인테리어 공사를 끝내고 다음달 중순부터 입주에 들어간다. 이천 본사 M14 반도체 공장 옆 부지에 들어선 R&D센터는 지하 5층~지상 15층에 연면적 9만㎡ 규모다. 총 투자비는 2000억원에 달한다.
새 R&D센터가 문을 열면 그동안 이천 본사 내 분산돼 있던 미래기술연구원(반도체 선행기술 연구)과 낸드플래시 개발사업 부문의 R&D 인력이 한 공간에 모인다. D램 개발사업 부문 등이 입주한 수펙스센터 및 R3 건물과도 가까워 SK하이닉스의 통합 R&D 단지가 될 전망이다. D램 및 낸드플래시 최신 생산 설비를 갖춘 M14 반도체 공장도 근처에 있어 개발과 생산 부문의 협업 효과를 낼 것으로 회사 측은 예상하고 있다.
SK하이닉스는 통합 R&D센터를 차세대 연구 허브로 삼는다는 방침이다. 이 회사는 올해 기존 제품에 비해 효율성과 용량을 크게 높인 3세대 10나노급 D램과 128단 낸드플래시 기반 솔루션 제품을 본격적으로 생산한다. 이석희 SK하이닉스 사장은 올해 초 신년사에서 “개발과 양산, 고객 대응 등 기획부터 판매까지 가장 최적화된 시스템으로 전환할 것”이라고 말했다.
김보형 기자 kph21c@hankyung.com