이재용, 삼성 '첫 EUV 파운드리' 현장경영…시스템반도체 '초격차' 의지
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이재용 삼성전자 부회장(사진)이 20일 최근 본격 가동한 극자외선(EUV) 파운드리(반도체 수탁생산)를 찾아 생산라인을 직접 점검하며 '시스템 반도체 1위' 의지를 강조했다.
이 부회장이 찾은 'V1 라인'은 지난해 하반기 완공된 삼성전자의 첫 EUV 전용 라인이다. V1라인은 올해 2월부터 본격적으로 7나노 이하 반도체 생산에 돌입했다. 삼성전자는 향후 V1라인에서 초미세 EUV 공정 기반 7나노부터 혁신적 GAA(Gate-All-Around) 구조를 적용한 3나노 이하 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 예정이다.
삼성전자가 새로 도입한 EUV 노광 기술이란 파장이 짧은 극자외선 광원을 이용해 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술을 가리킨다. 불화아르곤(ArF)을 이용한 기존 기술보다 세밀한 회로 구현이 가능한 게 특징. 삼성전자는 이 기술을 고성능 저전력 반도체 생산에 활용하고 있다. 삼성전자는 올해 시스템 반도체 부문에서 타 업체들과 '초격차'를 벌려나갈 계획이다.
이 부회장은 "지난해 우리는 이 자리에 시스템 반도체 세계 1등의 비전을 심었고 오늘 긴 여정의 첫 단추를 꿰었다"며 "이곳에서 만드는 작은 반도체에 인류사회 공헌이라는 꿈이 담길 수 있도록 도전을 멈추지 말자"고 당부했다.
삼성전자는 지난해 '반도체 비전 2030'을 발표하며 133조원 투자, 1만5000여명 채용 등 시스템 반도체 생태계 육성 계획을 밝힌 바 있다. 앞서 이 부회장은 올해 첫 현장경영으로 지난 1월2일 화성사업장 내 반도체 연구소를 찾은 바 있다.
배성수 한경닷컴 기자 baebae@hankyung.com
이 부회장이 찾은 'V1 라인'은 지난해 하반기 완공된 삼성전자의 첫 EUV 전용 라인이다. V1라인은 올해 2월부터 본격적으로 7나노 이하 반도체 생산에 돌입했다. 삼성전자는 향후 V1라인에서 초미세 EUV 공정 기반 7나노부터 혁신적 GAA(Gate-All-Around) 구조를 적용한 3나노 이하 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 예정이다.
삼성전자가 새로 도입한 EUV 노광 기술이란 파장이 짧은 극자외선 광원을 이용해 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술을 가리킨다. 불화아르곤(ArF)을 이용한 기존 기술보다 세밀한 회로 구현이 가능한 게 특징. 삼성전자는 이 기술을 고성능 저전력 반도체 생산에 활용하고 있다. 삼성전자는 올해 시스템 반도체 부문에서 타 업체들과 '초격차'를 벌려나갈 계획이다.
이 부회장은 "지난해 우리는 이 자리에 시스템 반도체 세계 1등의 비전을 심었고 오늘 긴 여정의 첫 단추를 꿰었다"며 "이곳에서 만드는 작은 반도체에 인류사회 공헌이라는 꿈이 담길 수 있도록 도전을 멈추지 말자"고 당부했다.
삼성전자는 지난해 '반도체 비전 2030'을 발표하며 133조원 투자, 1만5000여명 채용 등 시스템 반도체 생태계 육성 계획을 밝힌 바 있다. 앞서 이 부회장은 올해 첫 현장경영으로 지난 1월2일 화성사업장 내 반도체 연구소를 찾은 바 있다.
배성수 한경닷컴 기자 baebae@hankyung.com