삼성전자 평택캠퍼스/사진제공=삼성전자
삼성전자 평택캠퍼스/사진제공=삼성전자
2030년 시스템 반도체 1위 목표를 내건 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 분야에서 극자외선(EUV)을 활용한 초미세공정에 승부수를 건다. 올 2월 EUV 전용 경기도 화성캠퍼스 'V1 라인' 가동에 이어 평택캠퍼스에도 EUV 파운드리 생산 시설을 구축한다.

21일 회사 측에 따르면 삼성전자는 이달 초 평택 파운드리 라인 공사에 착수했다. 본격 가동 시기는 내년 하반기부터다. 지난해 삼성이 발표한 '반도체 '비전 2030'의 일환이다. 평택에도 초미세 공정 기술을 적용해 △5세대 이동통신(5G) △고성능 컴퓨팅(HPC) △인공지능(AI) 등 4차산업혁명 대응 핵심기지로 삼겠다는 것이다.

EUV는 파장이 짧은 EUV 광원을 사용해 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 차세대 기술. 반도체 회로 패턴 구현에 적합하고 여러 번 회로를 찍는 복잡한 '멀티 패터닝' 공정도 줄일 수 있어 반도체의 고성능과 생산성을 동시에 확보할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 지난해 업계 최초로 화성 S3 라인에서 EUV 기반 7나노(nm·1나노는 10억분의 1ｍ) 양산을 시작했다. 올 초 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 확대했다. 내년부터 평택 라인까지 가동되면 7나노 이하 초미세공정 기반 제품 생산능력이 크게 늘어날 것으로 기대된다.

삼성전자는 올 하반기 화성에서부터 5나노 제품 양산에 나서고, 이후 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다. 5나노 제품은 현재 반도체 업계에서 구현할 수 있는 가장 미세한 수준의 최첨단 기술이다. 다만 현재 5나노 양산 경쟁에서 앞서있는 건 파운드리 업계 1위 대만 TSMC다. TSMC는 이미 지난달부터 5나노 공정 본격 가동에 들어갔다.

글로벌 파운드리 기업 중 '유이'하게 EUV 공정을 도입한 양사가 초미세공정 경쟁에 열을 올리는 구도가 연출된 셈이다. 회로선폭이 좁을수록 작은 크기에도 고성능의 반도체 부품을 만들 수 있다.

삼성전자가 이번 투자와 함께 올 하반기부터 5나노 칩을 양산할 경우 TSMC와의 격차를 줄이는데 탄력을 받을 것으로 업계는 전망했다. 올 1분기 파운드리 분야의 TSMC 시장점유율은 54.1%까지 늘어난 데 비해 삼성전자의 점유율은 15.9%에 머물렀다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응하겠다"며 "전략적 투자와 지속적 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 말했다.

배성수 한경닷컴 기자 baebae@hankyung.com