삼성전기 경계현 사장, 2020년 해동기술상 수상
삼성전기 경계현 사장은 대한전자공학회가 수여하는 ‘2020년 해동기술상’을 11일 수상한다.

해동상은 고(故) 김정식 대덕전자 회장이 설립한 해동과학문화재단에서 학문과 기술 발전에 기여한 한국 전자공학 및 관련 분야 인재에게 수여하는 상이다.

경계현 사장은 삼성전자에 재직하면서 DRAM, Flash, SSD 등 핵심 메모리 제품 개발로 반도체 경쟁력 강화에 기여했고, 삼성전기에서는 기술리더십을 바탕으로 혁신제품을 지속적으로 개발하며 한국 전자부품 산업을 세계 최고 수준으로 발전시키는데 기여한 것으로 평가받았다.

경 사장은 1997년 세계 최초 Direct Rambus DRAM 개발을 시작으로 2013년 세계 최초 3차원 V NAND Flash 개발로 ‘자랑스런 삼성인상’을 수상했고, 2019년에는 세계 최초 UFS(Universal Flash Storage) 3.0과 128단 3D NAND 탑재 SSD 출시 등 메모리 반도체 시장에서 한국이 확고한 글로벌 1위 지위를 확보하는데 큰 역할을 했다.

또한, 2020년 1월 삼성전기 사장으로 부임 후 재료, 모듈 등 소재 · 부품 간 기술 융복합을 통해, 최첨단 전자재료, 핵심 수동부품, 카메라 모듈 및 기판 사업을 글로벌 일류로 집중 육성하여 한국 전자부품 기술력을 한층 높였다.

한편, 경 사장은 부상으로 받은 상금 2천5백만 원 전액을 IT 및 공학 분야 학생 후원과 인재 육성을 위해 기부했다.