이석희 사장 "낸드 600단 적층 가능"
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세계전자전기학회 심포지엄 연설
"SK하이닉스 한계돌파 자신"
"SK하이닉스 한계돌파 자신"
이석희 SK하이닉스 사장(사진)이 낸드플래시 기술 장벽으로 불리는 ‘200단’의 한계를 깰 수 있다는 가능성을 내비쳤다.
이 사장은 22일 온라인으로 열린 세계전기전자학회(IEEE)의 국제신뢰성심포지엄(IRPS) 기조연설에서 “앞으로 물질과 설계구조, 신뢰성을 개선해 낸드는 600단 이상 적층도 가능하게 될 것”이라고 말했다. IRPS는 반도체 등 기술 엔지니어와 과학자들이 연구 성과를 공유하는 행사다.
SK하이닉스는 최근 미국의 마이크론에 이어 176단 낸드 개발에 성공했다. 이 사장은 더 나아가 600단 이상도 가능하다고 밝힌 것이다. 그는 “패터닝 한계 등을 극복하면 D램은 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 이하 공정 진입이 가능하다”고 말했다.
‘미래 ICT 세상을 향한 메모리 반도체 기술의 여정’을 주제로 열린 이날 행사에서 이 사장은 SK하이닉스의 ‘파이낸셜 스토리’와 이를 달성하기 위한 기술·사회·시대적 가치를 소개했다.
반도체를 통해 환경오염 저감 등 사회적 가치에 기여할 수 있는 방안도 소개했다. 이 사장은 “세계 모든 데이터센터의 하드디스크드라이브(HDD)를 SSD(낸드플래시를 활용한 저장장치)로 교체하면 이산화탄소 배출을 93% 줄일 수 있다”고 설명했다.
이 사장은 ‘시대적 가치’를 창출하기 위해선 디지털 전환 이후 새로운 정보통신기술(ICT) 시대에서 반도체의 역할이 중요하다고 강조했다. 그는 “인공지능(AI) 기술을 기반으로 모든 기기가 통합될 것”이라며 “메모리 반도체는 메모리와 처리장치가 융합되는 방향으로 발전할 것”이라고 했다. 그러면서 뇌신경을 모방한 뉴로모픽 반도체, DNA의 정보저장 기능과 흡사한 DNA 반도체를 미래 반도체로 꼽았다.
이수빈 기자 lsb@hankyung.com
이 사장은 22일 온라인으로 열린 세계전기전자학회(IEEE)의 국제신뢰성심포지엄(IRPS) 기조연설에서 “앞으로 물질과 설계구조, 신뢰성을 개선해 낸드는 600단 이상 적층도 가능하게 될 것”이라고 말했다. IRPS는 반도체 등 기술 엔지니어와 과학자들이 연구 성과를 공유하는 행사다.
SK하이닉스는 최근 미국의 마이크론에 이어 176단 낸드 개발에 성공했다. 이 사장은 더 나아가 600단 이상도 가능하다고 밝힌 것이다. 그는 “패터닝 한계 등을 극복하면 D램은 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 이하 공정 진입이 가능하다”고 말했다.
‘미래 ICT 세상을 향한 메모리 반도체 기술의 여정’을 주제로 열린 이날 행사에서 이 사장은 SK하이닉스의 ‘파이낸셜 스토리’와 이를 달성하기 위한 기술·사회·시대적 가치를 소개했다.
반도체를 통해 환경오염 저감 등 사회적 가치에 기여할 수 있는 방안도 소개했다. 이 사장은 “세계 모든 데이터센터의 하드디스크드라이브(HDD)를 SSD(낸드플래시를 활용한 저장장치)로 교체하면 이산화탄소 배출을 93% 줄일 수 있다”고 설명했다.
이 사장은 ‘시대적 가치’를 창출하기 위해선 디지털 전환 이후 새로운 정보통신기술(ICT) 시대에서 반도체의 역할이 중요하다고 강조했다. 그는 “인공지능(AI) 기술을 기반으로 모든 기기가 통합될 것”이라며 “메모리 반도체는 메모리와 처리장치가 융합되는 방향으로 발전할 것”이라고 했다. 그러면서 뇌신경을 모방한 뉴로모픽 반도체, DNA의 정보저장 기능과 흡사한 DNA 반도체를 미래 반도체로 꼽았다.
이수빈 기자 lsb@hankyung.com