로이터통신 보도
라인 하나당 28조 비용
3나노 이하 등 총 6개 신규 라인 증설

TSMC 본사 전경. TSMC 홈페이지.

전 세계 1위 반도체 위탁생산(파운드리) 업체 대만 TSMC가 당초 계획보다 투자금을 늘려 미국에 3나노 첨단 반도체 공장을 짓는 방안을 검토 중이다.

지난 15일(현지시간) 로이터통신은 복수의 소식통을 인용해 "TSMC가 당초 100억~120억달러(11조~13조원)를 투자해 애리조나 피닉스에 5나노 반도체 공장을 짓는 방안을 계획했지만, 지금은 3나노 공장 설립 방안을 논의하고 있다"고 보도했다.

3나노 공장을 짓는 데 투입되는 비용이 라인 하나당 230억~250억달러(한화 25조~28조원)에 이를 수 있다는 것을 고려하면 TSMC로선 애초 계획했던 것보다 투자금을 크게 늘려야 하는 셈이다.

현재 TSMC는 120억달러(약 13조원)를 투자해 애리조나에 5나노 공정의 생산 라인을 증설하고 있다. 로이터에 따르면 TSMC는 여기에 추가로 3나노 이하 최첨단 공정을 갖춘 생산 라인을 5개 증설해 총 6개의 신규 생산 라인을 구축한다는 계획이다.

TSMC는 최근 미국 정보기술(IT) 및 반도체 기업들의 연대인 미국반도체연합(SAC)에 합류한 것으로 알려지면서 미국 정부와 '밀월' 관계를 한층 강화하고 있다는 평가가 나온다.

SAC는 최근 정부에 500억달러 규모의 반도체 산업 지원금을 제공하라 촉구하는 등 표면적으로는 로비단체의 역할을 수행하고 있으나 이면에는 미국 정부의 반도체 전략에 보폭을 맞추기 위한 연대로 평가되고 있기 때문이다.

재계에선 삼성전자로서도 더 이상 미룰 수 없는 상황이 임박했다고 보고 있다. 재계 한 관계자는 "삼성전자가 당초 예정됐던 금액에서 '+α 계획'을 내놓을 가능성도 있다"고 내다봤다.

특히 삼성전자가 오는 2030년까지 시스템반도체에 38조원을 추가 투자해 총 171조원을 집행하기로 하는 등 국내 투자를 발표한 것과 동시에 조만간 발표할 미국 투자에 대한 계산도 함께 끝냈을 것이란 분석이다.

삼성전자는 현재 미국 내 건설 예정인 두 번째 파운드리 공장과 관련해 텍사스 오스틴을 후보지로 놓고 텍사스 주(州) 및 오스틴시와 인센티브 조건 등을 논의하고 있는 것으로 알려졌다.

노정동 한경닷컴 기자 dong2@hankyung.com