삼성전자 초격차 메모리…14나노 저전력 D램 속도 '최고'
삼성전자가 지난해 개발한 14나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정 기반 ‘LPDDR 5X(저전력 더블 데이터 레이트 5X)’ D램(사진)으로 업계 최고 동작 속도를 구현했다. 이 제품이 차세대 저전력 메모리 시장을 주름잡을 것이란 전망이 나온다.

삼성전자는 퀄컴 최신 플랫폼에서 극자외선(EUV) 기술이 적용된 14나노 기반 LPDDR 5X D램 8기가바이트(GB) 패키지가 업계 최고 동작 속도인 8.5Gbps(초당 기가비트)를 기록했다고 18일 밝혔다. 이전 세대 LPDDR5의 동작 속도(6.4Gbps)에 비해 1.3배 빠른 수준이다. 1Gbps가 빨라지면 모바일 기기를 기준으로 초당 4GB의 풀HD 영화 두 편에 해당하는 데이터를 추가로 처리할 수 있다.

삼성전자는 LPDDR 5X D램에 메모리와 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 간 통신 신호의 노이즈 영향을 최소화해주는 회로 기술을 적용했다. 이동기 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 “초고속 인터페이스 대중화를 1년 이상 앞당길 수 있게 됐다”며 “퀄컴과 차세대 메모리 표준 관련 기술 협력을 강화하며 초고속 메모리 시장을 공략하겠다”고 말했다.

삼성전자에선 이번 성과로 LPDDR 5X D램의 채용 범위를 더 넓힐 수 있을 것으로 기대하고 있다. 이 제품은 저전력·고성능이 강점으로 꼽힌다. 기존 모바일 시장을 넘어 서버 고성능 컴퓨팅(HPC), 전장 등으로 활용도가 높아지고 있다. 인공지능(AI), 메타버스 등으로도 시장이 확대될 것으로 관측된다.

정지은 기자 jeong@hankyung.com