세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업인 대만 TSMC가 2024년 가동할 미국 애리조나 공장에서 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 반도체를 생산할 것으로 알려졌다. 삼성전자도 지난 6월 3나노 파운드리 공정 생산에 들어갔다. 미국을 무대로 한 두 회사의 경쟁이 점점 더 치열해지는 모양새다.
블룸버그통신은 2일 TSMC가 2024년 애리조나 피닉스공장에서 4나노 반도체를 생산하기로 했다고 보도했다. 5나노 반도체를 생산하기로 예정한 공장에 초미세 공정을 추가하는 것이다. 또 새로 지어질 피닉스 제2공장에선 3나노 반도체를 생산하는 방안도 검토 중이다. TSMC는 오는 6일께 피닉스공장 장비 반입식을 열고 이 같은 계획을 발표할 것으로 알려졌다.
나노는 반도체 회로 선폭을 뜻한다. 선폭이 좁을수록 고효율·고성능 반도체를 만들 수 있다. 한 웨이퍼에서 더 많은 칩을 제조할 수 있게 되면서 생산성이 높아진다.
TSMC가 5나노보다 앞선 4나노 중심으로 생산 계획을 바꾼 데엔 미국 애플, AMD, 엔비디아 등의 ‘특별 요청’이 있었다는 후문이다. 일각에선 TSMC 피닉스공장의 생산 규모가 당초 계획한 웨이퍼 월 2만 개 수준보다 늘어날 가능성이 높다는 예상도 나온다. 업계는 늘어난 TSMC 생산 규모가 점유율 확대로 이어질 수 있다고 보고 있다.
삼성전자는 파운드리 생산 규모를 늘리며 대응한다는 방침이다. 삼성전자는 지난달 미국 텍사스주 테일러시에 파운드리공장 건물을 짓기 시작했다. 총 170억달러를 투자해 2024년 11월 완공한다는 목표다. 삼성전자 관계자는 “생산 규모가 늘어나면 수요에 더 원활하게 대응할 수 있어서 점유율 확보에도 도움이 될 것”이라고 말했다.
삼성전자는 3나노 공정 생산 수율을 높이면서 ‘기술 초격차’ 전략에도 집중할 계획이다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. TSMC는 아직 3나노 생산에 도달하지 못했다. 경계현 삼성전자 DS(반도체)부문장(사장)은 최근 “기술이 한 세대 이상 확실히 앞서 있으면 기본 가격을 10% 이상 높게 받을 수 있다”고 말했다.
