SK하이닉스 제공
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SK하이닉스가 현존 모바일용 D램 제품 중 동작 속도가 가장 빠른 ‘LPDDR5T’ 개발에 성공했다. 이 회사가 지난해 11월 공개한 LPDDRX의 성능을 업그레이드해 최고속 기록을 다시 경신했다.

SK하이닉스는 25일 “고객사에 최근 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB(기가바이트) 용량 패키지 제품으로 만든 샘플을 제공했다”고 발표했다. 패키지 제품 데이터 처리 속도는 초당 77GB에 달한다. 풀HD급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 LPDDR5T 개발에 성공하면서 불과 두 달 만에 기술 한계를 다시 돌파했다고 강조했다. 신제품의 동작 속도는 9.6Gbps(초당 기가비트)다. 전작인 LPDDR5X(8.5Gbps) 대비 13% 빨라졌다. 회사 측은 신제품이 현존 최고 속도를 구현했다는 점을 강조하기 위해 규격 명인 LPDDR5에 ‘터보(Turbo)’를 의미하는 ‘T’를 붙였다

신제품은 속도는 물론 초전력 특성도 동시에 구현한 점이 특징이다. 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01∼1.12볼트(V)에서 작동한다. 이와 함께 전작과 같이 차세대 공정인 HKMG(하이케이 메탈 게이트)를 적용해 제품 속도는 끌어 올리고 소모 전력은 줄이는 효과를 얻었다.

업계에선 5세대(5G) 통신 스마트폰 시장이 커지면서 속도와 용량 전력 등 여러 방면에서 고도화된 모바일 D램 수요가 늘어날 것이란 전망이 나온다. SK하이닉스는 신제품을 기반으로 다양한 용량의 제품을 공급해 스마트폰뿐만 아니라 인공지능(AI)과 머신러닝, 증강현실(AR), 가상현실(VR) 등 다양한 시장을 공략할 계획이다.

SK하이닉스는 올해 하반기부터 10나노급 4세대(1a) 공정을 기반으로 신제품 양산에 나설 계획이다. 류성수 SK하이닉스 D램상품기획담당(부사장)은 “LPDDR5T를 통해 초고속을 요구하는 고객들의 니즈를 충족시켰다”며 “앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 ‘게임 체인저’가 될 것”이라고 말했다.

배성수 기자 baebae@hankyung.com