인텔이 TSMC, 삼성전자 등이 주도하는 파운드리(반도체 수탁생산) 기술 경쟁에 본격 가세했다. 1.8나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급 반도체 웨이퍼 시제품을 공개하는 등 기술력 과시에 나서면서다.

인텔은 19일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 연 ‘인텔 이노베이션 2023’ 행사에서 1.8㎚ 반도체 생산 준비를 내년 하반기에 완료한다는 계획을 밝혔다. 이 회사는 1.8㎚ 반도체를 18A 공정에서 양산할 계획이다. 인텔 18A 공정은 ‘리본펫’이라고 부르는 게이트올어라운드(GAA) 기술을 활용한다.

㎚는 반도체 선폭(회로의 폭)을 뜻한다. ㎚ 앞에 붙은 숫자가 작은 공정일수록 고성능·저전력·초소형 반도체를 만들 수 있다. 삼성전자와 TSMC 등은 치열한 ㎚ 경쟁에 나섰다. 두 회사는 2025년 2㎚ 반도체를 생산할 계획이다. 인텔은 이에 앞서 내년 생산에 나선다는 의지를 피력한 것이다. 파운드리 기술력으로 삼성전자와 TSMC를 압도하겠다는 의미다.

인텔의 이 같은 공언에 회의적 반응도 나온다. 이 회사가 1.8㎚ 반도체를 생산하려면 ASML의 차세대 극자외선(EUV) 장비인 ‘하이 NA’가 필요하다. 하지만 인텔이 아직 이 장비를 도입하지 않은 데다 구체적으로 어떤 공장에서 생산할지도 밝히지 않아서다.

김익환 기자 lovepen@hankyung.com