KV-CSD를 개발한 정우석 SK하이닉스 팀장(왼쪽부터), 양순열 TL, 박인혁 TL, 오태진 TL. /SK하이닉스 제공
KV-CSD를 개발한 정우석 SK하이닉스 팀장(왼쪽부터), 양순열 TL, 박인혁 TL, 오태진 TL. /SK하이닉스 제공
SK하이닉스 기술진이 차세대 저장장치를 개발해 ‘2023 연구개발(R&D)100 어워드’에서 수상했다.

SK하이닉스는 16일(현지시간) 미국 샌디에이고에서 열린 시상식에서 자사 기술진이 ‘정보기술(IT)·일렉트릭 부문상’을 받았다고 발표했다. R&D100 어워드는 매년 세계에서 가장 큰 혁신을 이룬 기술·제품 100가지를 선정해 시상하는 행사다. 산업 및 관련 학계에서는 ‘혁신의 오스카상’으로 불린다.

기술진은 ‘키값 전산 저장장치(KV-CSD)’를 개발한 공로를 인정받았다. KV-CSD는 수페타바이트(PB)의 대용량 데이터를 수분 만에 처리하는 빠른 읽기·쓰기 성능을 갖췄다. 자체 연산으로 데이터를 빠르게 분석해 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서 주목받는 차세대 저장장치로 꼽힌다. 이번에 개발한 장치는 KV-CSD에 세계 최초로 인덱싱(색인) 기술을 적용해 데이터 찾기 속도를 획기적으로 높였다.

최예린 기자 rambutan@hankyung.com