삼성전자가 영국의 반도체 설계자산(IP) 기업 ARM과 협력해 3나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 이하 최첨단 파운드리(반도체 수탁생산) 기술 경쟁력을 높인다. 파운드리 시장 1위 기업 TSMC를 추격하고, 후발주자인 인텔을 압도하기 위한 포석이란 분석이 나온다.

삼성전자는 21일 “ARM의 차세대 통합칩셋(SoC) 설계자산을 최첨단 게이트올어라운드(GAA) 공정에 최적화한다”고 발표했다. GAA는 초미세공정 반도체 생산에 필요한 핵심 기술로 꼽힌다. 반도체의 데이터 처리 속도 및 전력 효율을 높일 수 있는 게 장점으로 평가된다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 3㎚ 파운드리 공정에 도입했다.

ARM은 반도체의 밑그림 역할을 하는 IP를 팹리스(반도체 설계전문 기업)에 제공하고 로열티 수익을 거둔다. 미국 퀄컴, 대만 미디어텍 등 글로벌 팹리스가 ARM의 IP를 바탕으로 자신들의 노하우를 가미해 칩을 설계한다. 두 회사의 협력으로 삼성전자의 파운드리 고객사는 생성형 인공지능(AI)용 반도체 개발 과정에서 ARM의 IP를 쉽게 활용할 수 있게 됐다. 삼성전자는 ARM과의 협력을 통해 고객사에 저전력·고성능·초소형 칩을 적기에 공급하는 데 초점을 맞출 계획이다.

삼성전자는 향후 ARM과의 협력을 강화한다. 차세대 데이터센터 맞춤형 반도체를 위한 2㎚ GAA 공정, 온디바이스 AI용 컴퓨팅 시장을 겨냥한 칩렛(각기 다른 반도체를 연결하는 기술) 등을 차례로 선보일 예정이다.

계종욱 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 “생성 AI 시대에 걸맞은 혁신 기술을 지원하게 됐다”고 말했다. 크리스 버기 ARM 부사장은 “삼성의 GAA 공정으로 차세대 CPU의 최적화를 구현해 모바일 컴퓨팅의 미래를 재정립할 것”이라고 했다.

한편 삼성전자는 지난해 3분기까지 보유한 네덜란드 반도체 장비업체 ASML 지분 0.4%를 모두 매각한 것으로 나타났다. 1조2000억원 안팎의 자금을 확보한 것으로 추산된다.

김채연 기자 why29@hankyung.com