SK키파운드리, 차세대 전력반도체 GaN 개발 박차…연내완료 목표

SK키파운드리는 차세대 전력 반도체 질화 갈륨(GaN)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발 완료를 목표로 박차를 가하고 있다고 19일 밝혔다.

SK키파운드리는 앞서 지난 2022년 팀을 구성, GaN 공정을 개발해 왔으며, 최근 650V GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 소자 특성을 확보했다고 설명했다.

650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아 방열 기구 비용을 감소시키기 때문에 기존 실리콘과 비교해 최종 고객의 시스템 가격이 큰 차이가 없다.

이에 따라 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 에너지저장장치(ESS), 태양광 마이크로 인버터 등 시장에서 비즈니스 중인 팹리스 고객들의 프리미엄 제품 개발에 유리할 것이라고 SK키파운드리 측은 설명했다.

SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 관심을 보이는 다수의 기존 전력 반도체 공정 사용 고객을 상대로 프로모션에 나설 계획이다.

GaN은 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능해 차세대 전력 반도체로 불린다.

시장조사기관 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억달러에서 2032년 64억달러까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다.

SK키파운드리는 650V GaN HEMT를 기반으로 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이라고 밝혔다.

이동재 SK키파운드리 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력 반도체를 준비 중"이라며 "GaN뿐만 아니라 향후 실리콘카바이드(SiC)까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다.

/연합뉴스