'반도체 핵심 기술 유출 혐의' 전직 삼성전자 연구원 징역형

재판부 "국가경제 위태롭게 하는 범행"

사진은 기사 내용과 관련 없음./사진=게티이미지뱅크

반도체 핵심 기술을 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 전직 삼성전자 수석연구원이 1심에서 징역형의 집행유예를 선고받았다.

서울중앙지법 형사합의23부(오세용 부장판사)는 21일 산업기술보호법 위반 등 혐의로 기소된 이모씨에게 징역 3년에 집행유예 4년 및 벌금 2000만원을 선고하고 240시간의 사회봉사 명령을 내렸다.

재판부는 "피고인이 이메일로 유출한 자료에는 삼성전자가 다년간 연구·개발해 얻어낸 성과물과 국가핵심기술에 관한 내용이 포함돼 있다"며 "국내 기술과 국가경제를 위태롭게 하는 범행"이라고 지적했다.

재판부는 '업무 편의를 위해 자료들을 전송했을 뿐 회사에 손해를 줄 의도가 없었다'는 이씨의 주장에 대해 "삼성전자에서 12년간 D램 연구개발 업무를 한 피고인은 이들 자료가 외부에 유출될 경우 삼성전자에 중대한 피해가 발생한다는 점을 충분히 예상할 수 있었다"며 "다만 이들 자료가 외국이나 다른 기업 등 외부까지 유출되진 않았고 이메일로 보관하던 자료들은 모두 회수·삭제됨에 따라 삼성전자에 심각한 피해는 발생하지 않았다"고 양형 이유를 설명했다.

이씨는 삼성전자에서 수석연구원으로 일하던 2022년 3~6월 미국 회사로 이직하려고 'D램 반도체 적층조립기술' 등 국가핵심기술 13건과 'D램 반도체 사업화 전략 자료' 등 영업비밀 100여건을 개인 이메일로 전송한 혐의를 받는다.

검찰은 작년 3월 국가정보원 이첩자료를 토대로 수사해 8월 이씨를 기소했다.

차은지 한경닷컴 기자 chachacha@hankyung.com