질소이온주입 장치 국내서 첫 개발..정기순-최병호연구원

반도체제조, 금속등 각종 소재의 표면처리등에 활용되는 대전류이온주입장치(Implanter)가 국내 기술진의해 개발됐다. 12일 정기순 서울대교수 최병호 에너지연구소 연구원등 공동연구팀은100kv의 에너지를 가지는 질소이온 빔(Ion Beam)생성및 수송장치를개발했다고 밝혔다. 이장치는 이온빔의 전류를 100mA까지 높일수 있어 현재 상용장치의5-10mA보다는 물론 연구용으로 세계 최대출력으로 알려진 영국하웰연구소의35mA급장치보다 훨씬 성능이 뛰어나다는 것. 이팀은 기존의 이온발생장치를 개량해 이온의 전류를 높이고 빔의 질을향상시키는 한편 이온빔의 집속도를 높일수 있도록 공간 전구에 의한 반발을 줄일수 있는 기술을 개발했다. 따라서 이장치는 표면처리등 응용공정에서 처리시간을 단축, 생산성을높일수 있고 섭씨 200도이하의 낮은 온도에서 표면처리를 할수있어모재의 특성이나 크기변화가 없어 초정밀부품의 마지막처리에 적합하다는것이다.