서브미크론시대 개막..일본히타치, 고집적게이트어레이 연내시판

주문형 반도체분야에서도 서브미크론(1미크론이하)시대가 열렸다. 일경 산업신문에 따르면 일본히타치는 회로선폭 0.8미크론(1미크론은100만분의 1m)의 미세가공기술을 채용한 고집적 게이트어레이(주문형반도체의일종)를 개발, 올해안에 상품화할 계획이다. 이제품은 현재 주류인 1.5미크론급 게이트어레이에 비해 게이트(논리회로를구성하는 최소기능단위)를 2배많은 25만개까지 집적시킬 수 있고 처리속도도3-7배가량 빨라 전체처리기능을 30배까지 향상시킬 수 있다는 것. 현재 세계게이트어레이시장에서는 1.5미크론급이 주류이며 미TI사가1미크론급을 실용화했으나 오는 92년께부터 본격생산될 것으로 보이는 차세대기억소자인 4매가D램에서 사용되는 0.8미크론의 미세가공기술을 채용한게이트레이상품화는 히타치가 처음. 히타치사의 게이트어레이 신제품은 처리속도가 0.3나노초(1나노초는10억분의 1초)로 고성능이 요구되는 엔지니어링워크스테이션, 대형 컴퓨터,범용 사무자동화(OA)기기등에도 쓸 수 있다는 것이다.