전자통신연구소, 메모리 셀 자체고안..정보처리속도 세계수준

정보처리속도가 세계최고수준이면서 집적도를 높이기쉬운 갈륨비소(GaAs)16KS램이 국내에서 설계됐다. *** 갈륨비소 16KS램 설계 끝나 *** 7일 한국전자통신연구소에 따르면 화합물반도체연구부 박정무박사팀이4K x 4비트 구조의 갈륨비소 16KS램설계를 최근 끝냈다는 것이다. 과기처 특정연구과제인 "갈륨비소 초고속집적회로개발"사업의 1차연구를통해 설계된 이 16KS램은 정보를 기억시키는 기본단위인 메모리셀(MemoryCell)을 자체고안, 적용했으며 회로의 동작에 영향을 미치는 임계전압(Theshold Voltagee)의 변동허용폭을 넓혀 집적도를 높이기 쉽다는 것. *** 영상처리 / 대용량컴퓨터 응용기대 *** 갈륨비소반도체는 기존의 실리콘반도체보다 정보처리속도가 빨라 대량의정보를 고속처리해야 하는 영상처리, 대용량고속컴퓨터등에 응용이 기대되고있으나 제조공정기술이 뒤져 선진국에서도 4KS램이 상품화됐을 정도로집적도가 낮은 수준에 머물러 있다. 박박사팀은 갈륨비소반도체의 기본소자가 작동할수 있는 임계전압의허용변동폭을 40%가량 넓힐수 있도록 설계함으로써 기존 공정기술로도 10만개이상의 소자가 집적된 갈륨비소 16KS램을 제조할수 있도록 했다는 것이다. 또 새로운 구조의 메모리셀은 기록된 내용을 판독할때 셀내용이 파괴되는현상을 없앨수 있고 셀의 크기를 줄여 칩면적을 축소시킬수 있도록 함으로써수율을 크게 높일수 있다는 것. *** 정보처리 3.2나노초 *** 한편 박박사팀은 이번에 설계환 16KS램을 시뮬레이션(모의기능시험)한 결과정보처리속도가 3.2나노초 (1나노초는 10억분의1초)에 이르는 것으로확인했는데 이는 지금까지 발표된 것 가운데 실리콘을 사용한 S램의 최고속도8나노초, (1메가S램)보다 2.5배, 갈륨비소S램의 최고속도 4.1나노초(16KS램)보다 1.5가량 빠른 세계최고속 수준이라는 것.