고주파트랜지스터 개발..한국전자 대우전자 부품

한국전자와 대우전자부품이 능동소자인 고주파트랜지스터, 자동차전장용 복합집적회로등을 개발했다. 21일 한국전자는 2년간 37억여원을 투입, 두께가 0.2마이크로인실리콘 바이톨라고 주파트랜지스터를 개발했다고 밝혔다. 이트랜지스터는 첨단반도체 공정기술을 이용, 회로선폭을 1.5 마이크로으로줄였고 베이스접합깊이률 0.5 마이크로 까지 실현시킨 제품이다. 이 제품은 또 4기가 Hz의 주파수를 실현시킴으로써 전자튜너통신장비 인고위성등 첨단장비의 개발을 앞당길 것으로 기대된다. 또 대우전자부품은 자동차 전장용복합집적회로인 발전기용전압조정기와전자직 점화장치용모들을 개발했다. 이중 모듈은 다기능전압조정기 전자조정모듈과도 연결 사용할수있도록 되어있다. 이들 새제품은 한국반도체 연구조합의 공동개발과제들로서 이들업체가 맡아국산화환 것이다.