금성일렉트론 64메가D램 초고집적 반도체설계기술 개발
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금성일렉트론이 64메가D램용 초고집적반도체 설계 기술을 개발했다. 금성일렉트론은 28일 "글로벌 비트라인"이란 새로운 설계방식을적용,64메가D램크기를 15%이상 축소시켰을뿐 아니라 정보처리 속도도컬럼여백을 이용,당초 목표치보다 2배정도 빠른 44나노초(1나노초는10억분의1초)수준으로 개선했다고 밝혔다. 금성일렉트론은 이 기술을 미국등에 특허출원하는 한편 이달초 동경과시카고에서 열린 국제반도체학술대회에 발표했었다.