현대전자 64메가D램 엔지니어링샘플 내놓아...각사경쟁

현대전자가 7일 64메가D램 엔지니어링샘플을 내놓았다. 삼성전자에 이어 현대전자가 64메가D램의 엔지니어링샘풀을 출하한데다금성일렉트론도 내년초 선보일 예정으로있어 차세대반도체제품을 먼저 상품화하기위한 국내반도체업체들과 미.일업체간 경쟁이 막바지로 치닫고있는 양상이다. 이날 상품화 전단계인 엔지니어링샘플을 내놓은 현대전자는 정보처리속도가 35나노초(1나노는 10억분의 1)로 IBM(40나노초) 마쓰시타(50나노초)등 경쟁업체들이 선보인 샘플보다 성능이 앞선다고 자체 평가했다. 또 3.0~3.6V의 전압범위에서 완전 작동되며 3.3V의 낮은전압과 60mA의 전류를 소비하는 초절전제품이라고 발표했다. 현대전자는 이샘플을 만들기위해 0.35미크론(1미크론은 1백만분의 1m)급의초미세 가공기술과 관련 장비를 사용했으며 마스크작업회수를 18회(기존 21회)로 줄이는 공정기술도 개발했다고 밝혔다.