<해외경제>미쓰비시, 고출력갈륨비소FET개발[일공업신문]
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미쓰비시전기는 최근 고융점 텅그스텐 실리사이드에의한 T형전극을 활용, 업계최고수준의 이득과 신뢰성을 달성한 18기가헤르츠대고출력 갈륨비소전계효과트랜지스터(FET)를 개발했다고 발표했다. 동FET는 송신용 증폭용소자로 이득과 신뢰성을 높였기 때문에 마이크로파통신의 지상국에 사용되는 송신안테나의 성능을 높이고 크기와 무게를 줄이고 보전성을 높이는데 도움이 된다.