[산업II면톱] 현대전자, 3세대 16MD램 양산..생산성 40%향상

현대전자가 칩면적을 축소,생산성을 대폭 높인 3세대 16메가D램을 본격 양산한다. 5일 현대전자는 칩의 면적이 65평방미리미터로 기존제품(1세대 1백20~1백30평방미리미터, 2세대 1백평방미리미터)보다 8인치 웨이퍼당 생산물량이 40.7% 많은 3세대 16메가D램 생산에 착수했다고 밝혔다. 이제품은 수율1백%일 경우 8인치웨이퍼 1장에서 3백80개 생산돼 2세대제품의 2백70개보다 1백10개의 증산이 가능하다. 현대전자는 3세대 16메가D램 상업용샘플을 지난해말 수요업체에 공급한데 이어 이달초부터 양산체제를 가동,상반기중 판매에 들어갈 계획이다. 이회사는 올해말까지 16메가D램을 최근 완공한 E-2라인과 올하반기 가동예정인 E-3라인에서 월 웨이퍼5만장 가공규모로 양산하되 이중 3세대제품을 3만장가공규모로 생산하고 내년부터는 전제품을 3세대제품으로 대체키로했다. 현대전자는 이제품이 5.0V와 3.3V에서 모두 사용할 수 있고 전송속도는 초당 1백메가바이트로 초전압에서 고속전송이 가능하다고 설명했다. 생산공정에는 64메가D램 생산기술인 0.4미크론급 초미세 가공공정기술을 적용했다. 16메가D램은 올해부터 4메가D램을 대체,세계수요가 3억5천만개에 이르는 97년경에는 연간 10억개수요규모의 세계시장을 형성할 것으로 예상되고 있다. (한국경제신문 1995년 1월 6일자).