한국과학기술원, 1기가급 반도체 액적화학 종착장치 개발

1기가(10억)급D램 이상의 초고집적 반도체개발에 필수적인 고유전체를 제조할 수 있는 액적화학 증착 장치가 개발됐다. 4일 한국과학기술원(KAIST) 우성일.박승빈교수팀은 이장치를 개발,초고집적 D램 개발에 필요한 고유전체인 티탄산 바륨.스트론튬박막을 제조하는데 성공했다고 밝혔다. D램의 전하저장물질로 쓰이는 이유전체는 기존 D램에서 사용되는 산화규소.질화규소막보다 유전율이 1백배이상 높다. 액적화학 증착장치는 미국 일본에서 최근 개발된 고유전체 박막제조기술로 고유전체를 형성하는 물질인 바륨 티타늄등을 포함하는 유기화합물을 알콜등의 유기용매에 녹여 반응 시킨후 이것을 (1백만분의 1m)단위의 액적으로 만들어 증착시키는 방법이다. (한국경제신문 1995년 10월 5일자).