반도체 3사, 고속반도체 생산량 확대 움직임

삼성전자 현대전자 LG반도체등 반도체 3사가 일반 메모리반도체보다 가격이 15~30% 높은 싱크로너스D램 또는 램버스D램 등 고속반도체의 생산량을 대폭 확대할 움직임을 보이고 있다. 23일 삼성전자는 16메가 D램 전체 생산에서 싱크로너스D램이 차지하는 비중을 3월현재5%에서 연말까지 25~30%로 늘릴 계획이라고 밝혔다. 지난해 2백56메가 싱크로너스 D램을 개발한 현대전자도 현재는 16메가 싱크로너스D램의 생산량을 전체 16메가D램 생산량의 5%선에 묶어두고 있으나 시장상황에 따라 생산량을 대폭 늘릴 방침이다. LG반도체는 최근 개발한 18메가 램버스D램을 올해 2백만개 생산하고 내년에는 1천만개,98년 3천2백만개 등으로 생산량을 대폭 확대할 계획이라고 밝혔다. 일본업체들의 경우 NEC사가현재 동급 일반 D램 생산량의 10%선인 16메가 싱크로너스D램의 생산비중을 연말까지 25%로 높일 계획이며 도시바도 올해안에 15%,내년말까지는 50%선으로 확대할 방침인 것으로 알려졌다. 업계 관계자들은 일반 메모리반도체가 경기논쟁에 휩싸이는 등 향후 시장전망이 불투명해지자 반도체 업체들이 일반 메모로반도체에 비해 부가가치가 높고 이제 막 시작이 형성되기 시작한 고속 메모리 반도체의 생산량을 늘리고 있다고 말했다. (한국경제신문 1996년 3월 24일자).