[산업II면톱] LG반도체, 방사광 노광기술 개발 착수

LG반도체는 포항공대와 공동으로 기가급 반도체 제조용 방사광 노광기술 개발에 착수했다고 30일 발표했다. LG는 이날 포항공대에서 "X선 노광기술 연구센터" 개소식을 갖고 본격 가동에 들어갔다. 이 회사는 올해말까지 4백억원을 투자, 회로간 폭이 0.8미크론(1미크론은 1백만분의 1m)인 1기가D램 제조용 노광기술을 개발키로 했다. 또 0.12미크론급 (4기가 D램용)노광기술은 오는 2003년까지 확보키로 했다. 노광은 강력한 빛을 사용,반도체 원재료인 웨이퍼 위에 회로를 그리는 기술이다. 메가급에서는 주로 자외선을 이용했으나 회로선폭이 좁은 기가급에서는더 강한 빛을 사용해야 할 것으로 지적돼 왔다. 방사광 X선은 일반 의료용 X선보다 1백만배 밝은데다 파장이 짧고 투과도가 높은 빛이다. LG와 포항공대가 공동으로 개설한 연구센터는 포항공대가 국내에서 유일하게 보유하고 있는 방사광 가속기를 활용한 전용빔라인과 클린룸 X5선 전용 노광장비 등을 갖추고 있다. LG는 이와 별도로 기가급 노광기술 프로젝트를 수행할 "LG연구동"을 포항공대내에 오는 97년 10월까지 설치할 계획이다. (한국경제신문 1996년 5월 31일자).