[산업II면톱] 실리콘 웨이퍼 2중막 이용, 64메가D램 개발

현대전자는 64메가D램 이상급 고집적 반도체 제조의 핵심기술로 꼽히는 SOI(Silicon On Insulator)기술을 사용, 64메가D램 시제품을 개발했다고 18일 발표했다. 이 기술을 이용해 64메가D램을 개발한 것은 현대가 국내외에서 처음이다. SOI는 실리콘 웨이퍼 위에 두께 4천옹스트롬과 2천옹스토롬의 절연막을 이중으로 입힌 웨이퍼를 사용, 반도체를 제조하는 기술이다. 반도체는 웨이퍼 위에 입혀진 막위에 회로를 그려 만드는 것인데 SOI기술을 이용할 경우 회로를 새기기 위한 기판을 따로 만들 필요가 없어 쉽게 고집적화 할 수 있다. 또 제조공정뿐 아니라 반도체 자체의 설계구조를 간단하게 할수있어 메모리 뿐아니라 비메모리 반도체에도 폭넓게 사용될 수 있는 특징이 있다. 현대는 이 제품이 1.5V의 낮은 전압에서 사용이 가능, 각종 휴대용기기에 탑재할 수 있다고 설명했다. 현대는 이번 시제품 개발과 관련,미국등에 특허를 출원했으며 오는 12월 미국에서 열리는 국제 반도체 학술대회에 관련 논문을 발표할 예정이다. 이 회사는 2백56메가D램 이상급 제품에도 SOI기술을 채용하는 한편 이중막 웨이퍼의 자체개발에도 착수할 계획이라고 밝혔다. (한국경제신문 1996년 7월 19일자).