[산업I면톱] 현대전자, 복합반도체 개발..성능향상/비용절감

현대전자가 비메모리반도체와 메모리반도체를 통합한 복합반도체 EDL(Embedded DRAM in Logic)을 개발했다고 4일 발표했다. 이번에 개발된 EDL은 연산 기억 전송 변환등의 기능을 갖춘 비메모리 로직(논리소자)과 메모리 4메가D램을 단일칩에 구성, 처리속도와 시스템성능을 높이고 생산비를 절감할수 있는 획기적인 제품이다. 현대전자가 미현지법인 자회사인 심비오스로직과 공동 개발한 EDL은 동작전압 3.3V 최소선폭 0.35미크론m급 3층 금속선 상보성 금속산화막반도체(CMOS)로서 0.5미크론m급의 기존 복합반도체에 비해 한세대이상 앞선 첨단제품이다. 로직에 D램메모리를 이식하는 경우 기술적인 어려움으로 D램의 크기가 커지는 단점이 있었으나 이번에 개발한 제품은 현재의 D램구조를 그대로 사용할수 있어 제품의 고밀도화가 가능, 경제적이며 제품개발기간도 단축할 수 있다. 현대는 2~12메가D램 메모리까지 적용가능한 EDL기술을 이용, 연내에 하드디스크드라이브(HDD) 컨트롤러 CD롬컨트롤러 그래픽스컨트롤러 등에 이용될 비메모리반도체를 생산할 계획이다. 현대는 0.35미코론m급 EDL을 개발함으로써 2000년에 30억달러로 예상되는 비메모리응용 반도체시장에서 세계적인 기술력과 시장선점이 가능하게 됐으며 앞으로 0.25미크론m급 EDL도 개발할 계획이라고 밝혔다. (한국경제신문 1997년 2월 5일자).