초고집적화/정보 장기저장 가능 '새 F램 소자 첫선'

실용화 수준의 초고집적화가 가능하고 장기간 정보를 읽고 쓸수 있는 새로운 구조의 F램(강유전체메모리)소자가 개발됐다. 한국과학기술연구원 정보전자연구부 김용태 박사팀은 지난 3년간 1억원의 연구비를 들여 D램과 자기기억소자의 장점을 합한기능의 초고집적 기억소자의 단위소자인 "비파괴 판독형(NDRO) 불휘발성 트랜지스터"를 개발, 국내외에 특허출원중이라고 23일 밝혔다. 이 소자는 현재 국내외에서 개발중인 F램과는 다른 조성의 강유전체소재를사용, 트랜지스터만으로도 단위기억소자로 활용가능해 회로구조가 간단하며정보를 1백억번 이상 반복해 읽고 쓸수 있다. 또 3~5V의 낮은 전압에서도 작동하며 정보입출력시 피로현상이 없어 10년이상 장기간 사용할수 있다. 이는 이부문 연구에서 가장 앞선 일본 동경대의 소자보다 기능이 1백배 이상 뛰어난 것이다. 김 박사팀은 이 소자에 기록된 정보를 읽는 방식이 정립될 경우 앞으로 5년안에 세계최고 수준의 F램을 실용화할수 있을 것으로 예상하고 있다. 김 박사팀이 개발한 방식으로 F램이 실용화될 경우 기존의 램, 롬은 물론 컴퓨터의 자기기록매체인 하드디스크와 같은 모든 기록매체를 대체, 컴퓨터의 초소형화가 가능해질 것으로 기대된다. 특히 초소형 이동통신기기로 각종 멀티미디어정보를 무선송수신할수 있으며비접촉식 인식카드의 사용도 보편화될 것으로 전망된다. (한국경제신문 1997년 12월 24일자).