현대전자, 128메가 DDR램 샘풀 세계 첫 출하

현대전자는 6일 최신규격의 차세대 고속 메모리 반도체인 1백28메가 DDR(Double Data Rate)싱크로너스 D램 샘플을 세계 처음 출하했다고 발표했다. 이 반도체는 미국 전자업체및 반도체업체들이 참가한 반도체 규격 민간 국제표준화기구(JEDEC)가 정한 최신규격인 PC266A(CL2)를 만족시키는 제품이다. PC266A 규격은 1초에 핀당 2백66메가 비트이상의 데이터를 전송할수 있는 것으로 기존 싱크로너스 D램보다 속도가 2배이상 빠르다. 현대측은 이 반도체의 회로선폭이 0.22미크론(1미크론은 1백만분의 1m),소비전압은 2.5V에 불과하고 데이터 전송속도가 빨라 PC서버 고성능 워크스테이션 등 대용량 메모리를 필요로 하는 제품에 적합하다고 설명했다. 현대는 올해초 64메가 DDR 싱크로너스 D램 칩과 모듈을 개발, 미국 IBM 휴렛팩커드사 등에 공급해 품질의 우수성을 인정받아 이 제품 공급업체로 지정된 이후 3개월만에 1백28메가 DDR 싱크로너스 D램 샘플을 선보이게 돼 이 시장에서 선두업체로 부상할수 있게 됐다. 현대는 올 3.4분기부터 1백28메가 DDR 싱크로너스 D램 양산에 들어가 기존 64메가 DDR 싱크로너스 D램과 함께 이 분야에서 올해 2천만달러, 내년 3억달러의 매출을 올릴 계획이다. DDR 싱크로너스 D램은 현대전자를 비롯 삼성전자 후지쓰 등 세계 주요 반도체업체가 합의한 차세대 고속D램으로 기존 싱크로너스 D램과 동일한 패키지및 공정을 사용함으로써 추가 설비투자없이 제품 생산이 가능할 뿐 아니라 메인프레임 워크스테이션외에 그래픽 처리용으로 주목받고 있는 차세대 메모리다. 강현철 기자 hckang@ ( 한 국 경 제 신 문 1999년 6월 7일자 ).