현대전자 "美國서 2억弗 유치"..초고속D램 개발/LCD사업 투자

현대전자가 미국 인텔사 등과 외자유치 협상을 벌이는 등 반도체 TFT-LCD(초박막액정표시장치)분야에 외자를 유치한다.

31일 관련업계에 따르면 현대전자는 차세대 초고속 반도체인 램버스 D램의 개발 생산을 위한 협력체제를 구축하기 위해 인텔사 등과 2억달러의 외자를 유치키로 하고 협상을 벌이고 있다.

박종섭 사장은 기존의 외자유치 협상 외에 미국계 펀드와 1억달러의 외자유치 협상을 벌이기 위해 1일 미국으로 떠난다.

현대측은 TFT-LCD사업의 경우 4세대 라인건설을 통해 세계시장 점유율을 높이기로 하고 해외 3,4개 업체와 투자협상을 벌이고 있다고 밝혔다.

현대전자 관계자는 "반도체 경기가 급속히 회복되면서 현대전자에 지분참여형태로 투자하길 원하는 해외 기업들이 크게 늘고 있다"며 "투명한 경영시스템을 바탕으로 금년중 5억달러 이상의 외자를 유치할 것"이라고 전망했다.

삼성전자 등 메모리 시장을 주도해온 반도체 업체와 잇따라 전략적 제휴를 추진해온 인텔은 전환사채(CB)나 신주인수권부 사채(BW)인수 방식으로 투자할 것으로 알려졌다.

관련업계는 6월중 양측간 구체적인 투자계약이 성사될 것으로 전망했다.

현대는 유치자금으로 2백88메가 램버스D램에 대한 양산체제를 조기에 구축하는 한편 회로선폭을 크게 축소한 2세대 램버스 D램 개발에 착수할 계획이다.

박종섭 사장은 "반도체 통신 TFT-LCD 사업부문별로 세계 유수의 전략적 파트너와 자본 및 기술 제휴를 추진해 분야별 세계 최고 수준의 경쟁력을 갖춰갈 계획"이라고 말했다.

이같은 노력을 통해 현재 매출액 대비 1배에 불과한 기업가치(시가총액)을 2~3년내 4배이상으로 끌어올릴 계획이라고 현대측은 밝혔다.

이익원 기자 iklee@hankyung.com