CPU속도 향상장치 국산화..국제엘렉트릭, 삼성전자에 공급

컴퓨터 중앙처리장치(CPU)속도를 1㎓(기가헤르츠)이상으로 개선시킬 수 있는 저압 산화막 형성장치가 벤처기업에 의해 국산화돼 양산용 1호기가 23일 삼성전자에 첫 출하됐다.

일본 히타치국제전기와 합작으로 설립된 국제엘렉트릭코리아(대표 이길재)가 삼성전자 연구소와 공동으로 개발한 이 반도체장비는 64메가D램,2백56메가D램,CPU,플래시 메모리(전원이 끊어져도 정보의 보존이 가능한 비휘발성 메모리)제조기술에 적용될 수 있어 세계시장 공략이 가능하다고 이 회사는 밝혔다.

국제엘렉트릭코리아는 연간 1백50억원규모의 매출을 올릴 수 있는 이 장치에 대한 독점공급계약이 끝나는 내년부터는 세계반도체제조회사를 상대로 적극 마케팅을 펼칠 계획이다.

컴퓨터나 사무자동화기기가 고품질화 소형화되고 있는데 비해 고집적 메모리와 비메모리용의 초극박막 형성기술이 절실히 요구되고 있는 시점에 세계 최초로 이를 개발한데 의미가 있다고 국제엘렉트릭코리아는 밝혔다.

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안상욱 기자 sangwook@hankyung.com