삼성, 300mm 웨이퍼 양산 .. 반도체 S램위주 육성

삼성전자가 메모리 업체로서는 세계 최초로 3백㎜ 웨이퍼(초정밀회로가 그려지는 실리콘 원판)와 5백12메가 D램의 양산을 시작했다. 삼성은 또 범용 D램위주의 메모리 반도체 전략을 수정, 부가가치가 높은 S램과 플래시메모리 사업을 대폭 강화하기로 했다. 삼성전자 메모리사업부의 황창규 사장은 29일 서울 신라호텔에서 내외신 기자회견을 갖고 "경기도 화성의 2단지 11라인에서 3백㎜ 웨이퍼를 가공한 2백56메가 D램의 양산에 들어가 수요업체에 공급하기 시작했다"고 밝혔다. 삼성은 지난 7월 이 라인에 3백㎜ 웨이퍼를 월 1천5백만장씩 만들 수 있는 설비를 들여놓았다. 황 사장은 5백12메가 제품도 지금은 2백㎜ 웨이퍼로 제조하고 있지만 내년초부터는 3백㎜ 웨이퍼를 사용할 계획이라고 덧붙였다. 3백㎜ 웨이퍼를 사용하면 기존의 2백㎜에 비해 웨이퍼 한장에서 나오는 D램의 양이 2.5배 가량으로 늘어나 그만큼 가격경쟁력이 높아지게 된다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com