[재계 다시 뛴다] 꿈의 512MD램 양산..삼성전자 메모리분야 전략

삼성전자는 지난해 연말을 기점으로 플래시메모리에서 세계 1위를 차지,D램과 S램 1위에 이어 메모리 분야의 "3대 통합 챔피언 벨트"를 차지했다. D램은 지난 92년부터 11년째,S램은 96년부터 6년간 시장 1위를 유지하고 있다. 지난 10월에는 업계 최초로 차세대 3백mm 웨어퍼 라인을 가동,대용량 메모리 반도체인 5백12메가 DDR D램 제품의 본격 양산을 시작하는 등 경쟁사와의 격차를 더욱 벌이고 있다. 3백mm라인은 기존라인(2백mm)보다 생산량이 2.5배에 달한다. 제품의 원가를 대폭 낮춤으로써 차별화된 원가 경쟁력을 확보할 수 있게 됐다는 게 삼성측의 설명이다. D램,고용량 제품으로 시장 주도=2백56메가 등 대용량 제품의 생산을 지난해 30%에서 45% 수준으로 확대했다. 램버스,DDR 등 차세대 제품의 생산비중도 30%에서 40%까지 늘렸다. 삼성측은 이로써 경쟁업체와의 생산격차를 1년 정도까지 벌여 놓은 것으로 판단하고 있다. 올해 시장이 회복될 경우 상당한 수익을 달성할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 램버스 D램의 경우 시장점유율이 60% 이상으로 1위를 지켜왔으며 DDR 시장도 월 1천만개(1백28메가 환산기준)를 생산,2위업체(월 3백50만개 생산)와 월등한 격차를 유지하고 있다. 삼성전자는 D램 의존도를 낮추고 휴대폰과 PDA(개인휴대단말기) 등 통신제품의 생산 비중을 지속적으로 확대할 방침이다. 지난해 이들 제품의 D램 매출비중을 21%에서 2005년까지는 30%이상으로 높일 계획이다. S램,고부가가치 제품으로 신규시장 지속 개발=단품 위주의 제품에서 고부가가치 MCP(Multi Chip Package)제품 시장에 주력할 계획이다. 지난해 총 15종의 신개념의 MCP 제품을 출시하면서 지속적으로 신규응용 시장을 창출해 나가고 있다. 급성장하고 있는 네트워크 시스템 시장에 대응,네트워크 제품용 S램 판매비중을 지난해 20%에서 2005년까지는 35%로 늘일 방침이다. 플래시메모리,균형 성장에 주력=기존 NAND형 제품 외에 NOR형 플래시 메모리 사업을 본격화해 NOR와 NAND 제품의 균형있는 성장에 주력할 방침이다. 지난해 5백12메가 용량의 컴팩트 플래시카드를 출시한데 이어 플래시메모리 최대용량인 1기가 플래시메모리 제품에 0.12미크론 공정을 업계 처음으로 적용해 양산하고 있다. 강력한 생산력을 기반으로 올해는 1기가 플래시메모리의 양산을 확대해 멀티미디어 카드,메모리스틱 등 플래시메모리 전 제품에 대한 포트폴리오를 갖출 계획이다. 삼성전자는 올해 0.12미크론 공정을 적용한 업계 최고의 경쟁력을 갖춘 5백12메가 D램 제품의 양산을 개시하고 내년에 0.12미크론 공정을 전체의 80% 정도로 확대키로 했다. 경쟁사 보다 강력한 원가 경쟁력을 확보하고 차세대 제품에 대한 선도기술력을 유지한다는 전략에 따른 것이다. 회사 관계자는 "시장 수요별로 최적의 메모리 제품을 공급하고 월등한 공정기술을 바탕으로 원가 및 시장가격 대응력을 확보,메모리 최강자의 위치를 지속 유지 할 것"이라고 말했다. 이심기 기자 sglee@hankyung.com