삼성전자, 32메가 저전력 S램 개발

삼성전자는 업계 처음으로 0.11㎛(1㎛은 1백만분의 1m)급 초미세 공정기술을 적용한 32메가 저전력 S램 개발에 성공했다고 31일 발표했다. 이 제품은 인터넷접속과 동영상 전송을 요구하는 IMT-2000용 핸드폰에 적합하다. 삼성은 초미세 공정기술을 적용해 칩사이즈를 33% 축소하고 생산성을 50% 이상 향상시켰다고 설명했다. 삼성은 0.11㎛급 초미세 공정기술을 32메가뿐 아니라 16메가와 8메가 제품에도 확대 적용해 올 하반기부터 본격 양산에 들어갈 예정이라고 덧붙였다. 회사측은 이번 개발로 1세대 아날로그 휴대폰에서 3세대 IMT-2000용까지 S램 반도체 시장에서 95년 이후 8년째 1위를 유지할 것으로 기대했다. 또 이번 제품 개발로 경쟁사보다 기술에서 6개월 이상 앞서게 됐다고 밝혔다. 시장조사기관인 IDC에 따르면 S램 반도체의 최대 시장인 휴대폰은 오는 2005년 약 6억7천만대의 시장을 형성할 것으로 전망된다. 삼성전자는 이 중 30% 이상 점유를 목표로 하고 있다. 이심기 기자 sglee@hankyung.com