하이닉스, 이달부터 양산..512메가 낸드 플래시메모리 개발

하이닉스반도체는 5백12메가 낸드(NAND·데이터저장형) 플래시메모리 개발에 성공,이달부터 본격 양산에 들어간다고 3일 밝혔다.


낸드 플래시메모리는 D램과 달리 전원이 끊어져도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있고 정보의 입출력도 자유로운 특성을 갖고 있는 반도체다.

지난해 4월 유럽 반도체 업체인 ST마이크로사와 낸드 플래시 생산을 위한 전략적 제휴를 맺은 하이닉스는 기존 노어(NOR·코드저장형) 플래시메모리 기술을 기반으로 낸드 제품 개발에 집중,조기에 양산체제를 구축하게 됐다고 설명했다.


이번에 개발된 5백12메가 낸드 플래시메모리는 회로선폭 1백20나노미터(10억분의 1m)급 공정기술을 적용한 제품으로 MP3 파일의 경우 약 1시간 이상의 노래를 저장할 수 있으며 신문지 4천장과 80권 분량의 단행본을 각각 저장할 수 있다.


하이닉스측은 MP3 플레이어와 디지털 카메라 등을 중심으로 수요가 폭발적으로 증가하고 있는 낸드 플래시메모리 시장을 공략하기 위해 이달 초 '플래시 사업본부'도 신설했다고 밝혔다.

하이닉스는 올 4·4분기에는 90나노급 미세회로 공정기술을 적용한 1기가 및 2기가 제품을 선보인 뒤 2005년에는 70나노급 공정기술을 적용한 제품을 개발해 세계 낸드 플래시메모리 시장에서 3위를 달성한다는 방침이다.


조일훈 기자 jih@hankyung.com
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