하이닉스반도체, 1기가 DDR2 SD램 인텔인증 획득

하이닉스반도체는 2일 차세대 고성능 메모리 반도체인 1기가 DDR2 SD램이 미국 인텔로부터 제품 인증을 획득했다고 밝혔다. 이 제품은 1기가 DDR2 SD램 5백33MHz 단품 1종과 4백MHz 단품 2종 등 모두 세종류로 0.11미크론(㎛) 기술을 적용,1.8V의 동작전압에서 5백33MHz 및 4백MHz의 동작속도를 구현하도록 개발됐다. 하이닉스는 DDR2를 지원하는 인텔 칩셋이 본격 출시돼 수요가 급증할 것으로 예상되는 2·4분기부터 이 제품을 양산할 계획이다. 이로써 하이닉스는 5백12메가에 이어 1기가 DDR2 SD램에 대한 인텔의 모든 테스트를 통과,고부가가치 제품인 초고속 DDR 제품에 대한 국제적인 공신력을 얻게 됐다. 조일훈 기자jih@hankyung.com