삼성전자, 70나노 D램 공정기술 세계 첫 개발

삼성전자가 3일 발표한 70나노 D램 공정기술 개발은 초미세 반도체 공정기술에서 삼성전자가 타의 추종을 불허하고 있다는 사실을 다시 한번 입증한 것으로 보인다. 70나노 공정은 삼성전자가 지난해 9월 발표한 80나노 공정에 비해 한 단계 정도 진보한 것으로 보이지만 실상 세계 반도체업계가 실리콘을 사용한 나노기술 진전에 상당한 한계를 느껴온 것을 감안하면 그 의미가 적지 않다는 평이다. 실리콘 대신 금속전극을 활용해 70나노 공정기술을 개발한 것도 따지고 보면 '콜럼버스의 달걀'과 같은 발상의 전환이 있었기에 가능했다는 지적이다. 이로써 삼성전자는 지난해 9월 개발한 플래시메모리 분야의 70나노 공정기술과 함께 향후 반도체 업계에서 나노급 반도체 기술을 선도할 수 있는 우월한 지위를 확보하게 됐다. 그동안 1년 단위로 이어져오던 신공정 개발 기간을 삼성전자가 이번에 6개월로 단축하는 데 성공,경쟁사들의 기술개발 속도를 압도하고 있음을 보여줬다. 70나노급 D램 공정기술은 생산성 측면에서 80나노 기술보다 30%,현재 삼성전자의 주력공정인 0.10마이크로미터(㎛) 공정보다는 90% 이상 효율이 높다는 것이 회사측 설명이다. 이에 따라 삼성전자는 D램 분야에서 독보적인 원가경쟁력을 계속 누리면서 상대적으로 수익성이 높은 플래시메모리의 생산비중을 더욱 높일 수 있는 여력을 확보했다. 삼성전자는 올해 8,9,10,11,12라인 등 총 5개 D램 라인을 통해 60억달러 상당의 매출을 올릴 계획이지만 90나노,80나노 공정을 잇따라 도입해 생산효율을 높이면 1∼2개 라인 정도는 플래시메모리 생산라인으로 전환할 수 있을 것으로 전망된다. 연내 12라인을 중심으로 도입될 예정인 90나노 공정은 웨이퍼당 칩 수가 0.10마이크로미터 공정에 비해 30% 정도 늘어나 단순 계산으로 반도체 현물가격이 30% 하락하더라도 현 수준의 원가경쟁력을 유지할 수 있다는 분석이다. 황창규 반도체 총괄사장은 "70나노 공정기술은 대용량 고성능 반도체 제품을 생산하는데 필요한 핵심 기술로 세계 각국의 반도체 업체들이 앞다퉈 기술개발에 나서는 상황에서 이뤄낸 개가"라며 "경쟁업체들과의 기술격차를 1년 이상 확대하는 계기가 될 것"이라고 자평했다. 조일훈 기자 jih@hankyung.com