삼성전자 50나노 제조기술 발표..2004 VLSI 심포지엄

삼성전자가 세계 3대 반도체학회에서 잇따라 차세대 기술을 대거 발표,선도업체로서의 기술력을 입증했다. 삼성전자는 지난 15일 미국 하와이에서 열린 '2004 VLSI 심포지엄'에서 무려 22가지 차세대 기술을 선보이며 최다 논문 발표의 실적을 올렸다고 16일 밝혔다. 이번 심포지엄에서 삼성전자가 발표한 50나노 이하급 트랜지스터 제조 기술은 칩 크기를 종전의 4분의 1로 줄일 수 있는 획기적인 기술이다. 64Mb 대용량 P램(상변화 메모리반도체) 기술은 고집적화의 한계를 뛰어넘었다는 평가를 받아 논문의 '양'뿐만 아니라 질적인 면에서도 삼성전자의 앞선 기술력을 보여준 계기가 됐다고 삼성측은 전했다. 삼성전자는 지난해 12월 국제전자소자회의(IEDM)에서 최다 논문을 발표하고 지난 2월 세계고체회로회의(ISSCC)에서는 최우수 논문상을 받았다. 장경영 기자 longrun@hankyung.com