256메가 DDR 4달러 붕괴 .. 당분간 약세 불가피

D램 주력제품 가격의 4달러선 붕괴는 지난 여름 이후 반도체 가격이 급락하면서 어느 정도 예견돼 온 것이었다. 계절적으로 D램 성수기(9~10월)를 훌쩍 넘긴데다 업계의 양산기술 발달로 반도체 공급물량이 지속적으로 증가해온 데 따른 것이다. 문제는 향후 가격 흐름이다. 반도체 가격이 국내 뿐만 아니라 세계 정보기술(IT) 경기의 지표 역할을 한다는 측면에서 관심을 모을 수밖에 없다. 업계는 가격하락을 불가피한 추세로 받아들이면서도 하락 속도는 그다지 빠르지 않을 것이라는 관측을 내놓고 있다. 시장조사기관인 데이터퀘스트의 경우 내년도 반도체 수요 전망치를 올해(2백71억달러)보다 10% 가량 증가한 2백97억달러로 제시하고 있다. 이는 D램의 주요 공급선인 PC 시장이 내년에 13% 이상 성장할 것으로 전망되고 디지털 기기의 융·복합화 현상에 따라 모바일 분야의 D램 수요도 꾸준히 늘어날 것으로 예상되기 때문이다. 삼성전자 관계자는 "공급이 수요를 초과하는 현상이 지속되더라도 주력제품 가격이 3달러선 이하로 떨어지지는 않을 것"이라며 "특히 고정거래 가격은 현물가보다 훨씬 안정적인 모습을 보일 가능성이 높다"고 내다봤다. 실제 2백56메가 DDR D램(32M×8,4백㎒)의 현물가격이 4달러선 밑으로 주저앉았지만 삼성전자나 하이닉스반도체의 고정거래가격은 4.3∼4.5달러선을 유지하고 있는 것으로 알려졌다. 국내 업계는 또 내년에 생산효율이 높은 나노(10억분의 1m) 생산공정과 3백mm 웨이퍼 라인을 단계적으로 확대해 나간다는 방침이어서 가격하락에 따른 충격을 충분히 상쇄할 수 있다는 판단이다. 특히 D램 가격 추이에 따라 플래시메모리 라인 가동을 신축적으로 조절,수익을 극대화해 나간다는 방침이다. 삼성전자의 경우 낸드플래시의 90나노 공정 채택비중을 65%로 늘린 데 이어 올 연말까지 80%로 확대하기로 했다. 하이닉스 역시 연내 90나노급 미세회로 공정기술을 적용한 1기가와 2기가제품을 선보이고 내년 중에 70나노급 제품을 생산할 계획이다. 조일훈 기자 jih@hankyung.com