삼성전자, 업계 최초 70나노 D램 개발

삼성전자가 업계 최초로 첨단 70나노 공정을 적용한 512메가 DDR2 D램 개발에 성공했습니다. 2001년 100나노, 2002년 90나노, 2003년 80나노 공정기술을 세계 최초로 개발했던 삼성전자는 이번에 70나노급까지 개발함으로써 나노급 D램 기술 분야에서 세계 최정상임을 다시 한번 확인했습니다. 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1천400분의 1에 해당하는 초미세 반도체 제조 기술입니다. 이번에 개발성공한 70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하고 있는 90나노 512메가 DDR2 제품과 비교했을 때 생산성이 2배 가량 향상됐습니다. 또한 1.8볼트 저전압 동작으로 PC를 비롯한 컴퓨팅 시스템 뿐만 아니라 각종 모바일 기기에서도 최적의 성능을 구현할 것으로 기대됩니다. 아울러 기존 90나노와 80나노 공정기술과 기술 연속성을 유지함으로써 70나노 제품 양산 시 추가 투자를 대폭 줄일 수 있는 장점이 있어 원가경쟁력을 강화할 수 있을 전망입니다. 지난해 중순부터 90나노 공정을 적용한 D램 제품의 양산을 시작해 업계보다 1년 이상 앞서 있었던 삼성전자는 이번 기술 개발을 통해 2세대 앞선 양산 기술력을 조기에 확보하게 됐습니다. 조성진기자 sccho@wowtv.co.kr