삼성전자, 세계 최초 CTF 신기술 상용화 성공

삼성전자가 기존 반도체 기술의 한계를 극복한 신개념의 CTF (Charge Trap Flash) 낸드 기술 개발과 상용화에 세계 최초로 성공했습니다.

삼성전자 반도체 총괄 황창규 사장은 기자회견을 갖고 “기존 셀간 간섭현상와 공정수 증가 등의 문제점을 완벽히 해결한 CTF 기술 상용화에 성공했다”고 밝혔습니다.

삼성전자는 지난 5년간의 CTF 기술 연구를 통해 155개의 원천 특허와 개량특허를 확보함으로서 세계 반도체 기술을 선도하고 경쟁사와의 기술격차를 더욱 벌릴 수 있게 됐습니다.

이번에 삼성전자가 개발한 CTF 기술은 1971년 비휘발성 메모리가 첫 개발된 이래 35년간 상용화에 적용되어 온 ‘플로팅 게이트’ 기술의 한계를 극복한 혁신적인 기술로, 나노 공정의 한계로 여겨졌던 50나노 장벽을 허물고 40나노 이후 차세대 비전을 제시했다는 데 큰 의미가 있습니다.

삼성전자는 이번 CTF 상용화를 통해 반도체 공정수 20% 이상 축소를 통한 제조원가의 획기적 절감과 현재의 기가의 1000배인 ‘테라’시대 진입의 토대를 마련하게 됐습니다.

삼성전자는 CTF 상용화로 인해 향후 10년간 낸드플래시 시장에서 250조원의 창출효과가 있을 것으로 내다보고 있습니다.

아울러 삼성전자는 지난해 50나노 16기가 낸드플래시메모리 개발에 이어 1년만에 세계최초로 CTF기술을 적용한 40나노 32기가 낸드플래시 개발에 성공했습니다.

이로써 삼성전자는 7년 연속 집적도 2배 성장과 6년연속 최첨단 나노기술 세계 최초 개발이라는 성과를 달성했습니다.

삼성전자는 40나노 기술로 구현될 낸드플래시 시장이 08년 이후 약 500억 달러 이상의 규모가 될 것으로 예상했습니다.

삼성전자 반도체부문 황창규 사장은 “삼성은 남보다 앞서 신시장 창출에 노력하고 있으며 이것이 차별화된 경쟁력”이라며 “기가 시대를 넘어 2010년 이후 테라 와 페타 시대를 겨냥한 초 고용량 반도체와 하나의 칩에 메모리 로직 센서 CPU 등을 집적한 ‘퓨전 반도체’, 원가 20배 정도 크기인 10나노 공정 기술을 적용한 반도체 등 이제까지와는 전혀 새로운 개념의 반도체를 개발하겠다”고 밝혔습니다.

김경식기자 kskim@wowtv.co.kr