[사설] (21일자) 앞서가는 삼성의 50나노 D램 개발

삼성전자가 50나노 1기가 D램을 세계최초로 개발해 D램업계에 50나노 시대를 열어젖힌 것은 한마디로 쾌거(快擧)다.

메모리 반도체에 관한 한 우리나라가 세계 시장 주도권을 확실하게 장악하고 있음을 다시한번 대외내에 입증한 까닭이다.

이번 성과가 더욱 의미 있는 것은 D램의 사용영역을 크게 넓히며 새로운 시장을 창조해 제2의 D램 슈퍼호황을 이끌 것으로 기대되기 때문이다.

50나노 D램은 현재 주요 업체가 사용하는 90나노 공정에 비해 생산성이 4배나 높을 뿐 아니라 칩은 더욱 소형화되고 데이터처리속도는 빨라져 휴대폰 게임기 등 모바일 기기에까지 사용할 수 있다.

D램도 낸드플래시와 마찬가지로 모든 디지털기기에 내장할 수 있게 되는 만큼 시장규모가 급격히 확대될 것은 자명(自明)한 이치다.

현재 연 300억달러대에 머물고 있는 D램 세계시장 규모가 2010년엔 500억달러대로 급신장할 것으로 예상되는 것도 그런 연유다.

기술적인 측면에서의 성과도 주목하지 않으면 안된다.

삼성전자는 지난달 40나노 32기가 낸드플래시를 개발해 인텔의 낸드플래시 제조기술을 넘어선 데 이어 이번에 50나노 D램을 내놓음으로써 타의 추종을 불허(不許)하는 기술기반을 확립했다. 업계 2위인 하이닉스가 66나노 공정을 개발했을 뿐이고 인피니언 마이크론 등은 아직 60나노대 공정조차 개발하지 못했다니 그 격차가 얼마나 큰지 한눈에 드러난다.

하지만 중요한 것은 앞으로다.

지금까지의 성과에 만족하지 말고 꾸준히 이런 우위를 지켜나가지 않으면 안된다.

그러기 위해선 전문인력을 더욱 적극 육성하는 것은 물론 연구개발(R&D) 투자도 지속적으로 늘려나가야 할 것이다.

삼성의 반도체 신화가 계속 이어지기를 기대한다.