[신성장 혁신센터] 한양대 차세대비휘발성메모리개발사업단‥차세대 반도체관련 특허출원 108건

한양대학교 차세대비휘발성메모리개발사업단(단장 박재근)은 2012년 상용화될 것으로 예상되는 0.1 테라비트급 차세대 비휘발성 메모리 개발을 목적으로 2004년 8월 설립됐다.

한양대 경북대 등 12개 대학과 ETRI KIST 등 4개의 국가출연연구소, 케이씨텍 아토 등 4개 업체 등에서 모두 255명의 연구원이 참여해 원천 기술을 연구하고 있는 국내 최대 규모의 반도체 연구 개발 사업단이다.

현재 쓰이는 메모리 반도체 중 D램은 쓰기·지우기 소요시간이 매우 우수하지만 전원을 끄면 정보가 사라지는 '휘발성'인 게 단점이다.

반면 낸드 플래시 및 노어 플래시 메모리는 비휘발성이라 소자의 쓰기·지우기 속도가 다소 느린 게 단점이다.

사업단은 쓰기·읽기 속도가 수나노초에 불과하고 집적도는 25나노미터 이하인 테라비트급 용량의 비휘발성 메모리 개발을 추진하고 있다.

나노플로팅게이트메모리(NFGM)와 유기물 메모리(PoRAM),저항변화 메모리(ReRAM) 등 3개 차세대 반도체 소자를 개발 중이다.

사업단은 지난 2월 말까지 국제과학논문 인용색인(SCI) 191건을 비롯해 213건의 논문을 게재했다.

또 108건의 특허를 출원했고 38건의 특허를 등록하는 연구 성과를 올렸다.

사업단은 개방적 연구 추진으로 지식재산권 확보가 용이한 시스템을 운영하고 있다.

3개월에 1회씩 워크숍을 통해 연구 수행 결과 교류 및 자체 평가를 실시하고 과제 책임자들이 출원·등록한 특허를 전문 변리사의 평가를 통해 연구 사업 종료 후 특허가 사업화에 적용될 수 있도록 하고 있다.

또 소자 개발 결과의 객관적 평가를 위해 기초과학지원연구원에서 평가하고 그 결과를 각 단계별 심사위원에게 전달하는 선진 평가 시스템을 운영하고 있다.

사업단은 향후 기가급 메모리 실증 기술 개발을 통해 국내 반도체산업이 2012년 모바일용 비휘발성 메모리 시장 조기 선점 및 세계시장 점유율 40% 이상을 차지하고 테라급 메모리 원천기술 개발을 통해 2015년 차세대 비휘발성 메모리 시장 점유율 30% 이상을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

또 기존 메모리 및 차세대 비휘발성 메모리와 유기적으로 연관된 모바일 및 디지털 컨버전스 산업의 신규 제품 창출을 목표로 하고 있다.

송태형 기자 toughlb@hankyung.com