하이닉스 "비메모리 재진출"

중장기 마스터플랜...10년뒤 세계1위 목표
"10년 후엔 세계 1위" … 300mm라인 확충.P램 사업 본격화

하이닉스반도체가 앞으로 10년 뒤인 2017년에 '세계 1위 반도체 기업'으로 도약한다는 중장기 비전을 내놨다.지난 해 80억달러였던 연간 매출을 2012년까지 250억달러로 끌어올려 세계 3위로 도약한 뒤 2017년에는 인텔과 삼성전자를 제친다는 구상이다.

김종갑 하이닉스 사장은 25일 서울 웨스틴조선호텔에서 기자간담회를 갖고 이 같은 내용을 골자로 한 중장기 마스터플랜을 발표했다.

하이닉스는 이를 위해 2015년까지 첨단 300mm웨이퍼 라인을 5개 증설하고 연간 매출에서 차지하는 연구·개발(R&D) 투자비중을 10%로 늘리기로 했다.또 2009년부터 차세대 반도체인 P램을 양산하고 비메모리반도체 사업에도 뛰어드는 등 사업분야를 다각화하기로 했다.

김 사장은 "지난해까지 하이닉스는 양적인 성장을 통해 세계 5위의 반도체 회사로 도약했다"며 "올해부터 연 평균 20% 이상 성장시켜 2010년 매출 180억달러,2012년 매출 250억달러를 달성하겠다"고 밝혔다.

그는 또 "D램과 낸드플래시 시장 점유율도 2012년까지 30% 이상으로 높일 계획"이라며 "이를 통해 2017년 세계 1위로 올라설 것"이라고 설명했다.하이닉스는 이 같은 비전을 달성하기 위해 먼저 첨단 반도체공정인 300mm웨이퍼 라인을 대대적으로 확보키로 했다.내년에 청주에 2개 라인을 짓는 등 매년 1개의 300mm웨이퍼 라인을 확충,현재 40%인 300mm웨이퍼 라인 생산비중을 2012년까지 90%까지 늘린다는 계획이다.

이를 통해 향후 고성능 D램과 낸드플래시는 300mm웨이퍼 라인에서 생산하고,생산성이 떨어지는 200mm웨이퍼 라인에서는 범용제품을 양산하거나 장비를 매각하기로 했다.

D램·낸드플래시 위주의 단순한 사업구조도 다각화하기로 했다.이를 위해 우선 2009년부터 차세대 반도체로 꼽히는 P램을 본격 양산키로 했다.

또 비메모리사업에도 진출할 계획이다.

하이닉스는 2004년 10월 시스템LSI사업부를 분리 매각하면서 오는 10월까지 비메모리사업에 진출하지 않기로 채권단 측과 합의했었다.

이를 통해 하이닉스는 2012년에 P램과 비메모리사업부 매출 비중을 30%까지 끌어올린다는 계획이다.

김 사장은 "세계 최고 수준의 반도체 회사가 되려면 비메모리반도체 사업을 하지 않을 수 없다"며 "오는 10월 이후 구체적인 진출계획을 밝히겠다"고 설명했다.

그는 이어 "매그나칩반도체를 인수하거나 반도체 이외의 사업에 진출하는 것은 아직 검토하고 있지 않다"며 "다만 기술력이 뛰어난 벤처기업 등은 인수·합병하는 방법도 고려하고 있다"고 덧붙였다.

이와 함께 하이닉스는 R&D투자도 대폭 확대키로 했다.

이에 따라 현재 연간 매출의 5∼6%에 불과한 R&D투자규모를 2012년까지 10%로 늘리기로 했다.또 국내외 대학과의 산학협력 등을 강화해 R&D 인력도 5000명으로 늘릴 방침이다.

이태명/김현예 기자 chihiro@hankyung.com