삼성전자, 50나노 2기가 DDR3 최초 양산

삼성전자는 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가비트(Giga bit) DDR3 D램 개발에 성공해 10월부터 양산할 예정이라고 29일 밝혔습니다. 신제품은 지난해 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램의 최대 속도보다 약 1.6배(1.333Gbps) 빠르며, 단품 칩의 크기도 작아 생산 효율이 기존보다 60% 이상 향상됐습니다. 또한, 2기가비트 DDR3는 1기가비트 DDR단품에 4단 적층(GDP:Quad Die Pacakage) 기술 대신 2단 패키지 적층 기술 적용이 가능해 원가부담이 적고, 40% 이상 전력 절감과 발열량 감소 효과도 있습니다. 삼성전자는 50나노급 2기가비트 DDR3 D램 출시를 계기로 앞으로 수년 이내 D램 시장의 주력 제품이 될 2기가 DDR3 제품군에서 확실한 주도권을 확보해 시장 선점을 통한 경쟁 우위를 지속해 나갈 방침입니다. 송철오기자 cosong@wowtv.co.kr