세계 최초 나노 입자 이용한 저항성 메모리 개발

국내 연구팀이 세계 최초로 나노 입자를 이용한 저항성 메모리(멤리스터：Memrister)를 개발하는데 성공했다.

천진우 연세대학교 화학과 교수，김태희 이화여자대학교 물리학과 교수，이경진 고려대학교 신소재공학과 교수 연구팀은 차세대 기억소자 및 회로 등에 응용될 수 있는 멤리스터를 나노입자를 통해 구현했다고 27일 밝혔다.

멤리스터는 기억을 뜻하는 Memory와 기억장치를 의미하는 resistor의 합성어다.기억된 전하의 양에 따라 저항이 변해 전류가 끊긴 상태에서도 각종 사건 및 작업을 저장할 수 있는 것이 특징이다.테라바이트 메모리，신경망 회로를 이용한 결함 인정 소자 등의 신개념 회로를 구성할 수 있는 소자로 알려져 있다.

연구팀은 나노입자를 원기둥 형태로 배열시키는 펠릿(Pellet)기술을 이용해 멤리스터 개발 공정을 간소화，대량생산의 길을 연 것으로 평가받고 있다.지금까지 멤리스터는 지난해 5월 미국의 IT기업 HP사가 고가의 복잡한 나노소자공정을 요구하는 기존의 박막(thin film) 소자기술을 이용해 만든 것이 전부였다.

연구팀의 천진우 교수는 “멤리스터 실용화에는 더 많은 연구가 필요하나 대량생산이 가능한 나노입자의 제작 방법에 의해 다양한 응용가능성을 열었다는 것이 큰 의미”라고 설명했다.
이번 연구결과는 미국의 나노과학분야 전문지인 나노레터스(Nano Letters)온라인판에 최근 발표됐다.

임기훈 기자 shagger@hankyung.com