하이닉스, 4G 모바일 D램 '인텔 인증' 획득

하이닉스반도체가 세계 최초로 개발한 4기가비트(Gb) 모바일 D램이 인텔로부터 인증을 받았다. 하이닉스 모바일D램이 인텔로부터 인증을 획득한 것은 이번이 처음이다. 하이닉스는 9일 54나노 2기가비트 기반으로 만들어진 4기가비트 모바일 D램이 인텔 모바일 인터넷 디바이스(MID)용 칩셋인 무어스타운(Moorestown)에 장착될 수 있는 인증을 받았다고 밝혔다.

무어스타운은 인텔이 전력소비를 줄이기 위해 만들어 2008년 인텔 개발자 포럼(IDF)에서 소개한 차세대 모바일 플랫폼이다. 이에따라 하이닉스도 인텔에 모바일D램을 납품할 수 있게 됐다.

인증을 받은 4기가비트 모바일 D램은 용량면에서 지금까지 나온 제품중 가장 크다. 기존 2기가비트 제품의 크기를 유지하면서 용량은 두 배로 늘렸다.

하이닉스는 이 제품을 올해 3분기부터 양산,올해 모바일D램 세계시장 점유율을 24%까지 끌어올리는 것을 목표로 하고 있다.

김용준 기자 junyk@hankyung.com