하이닉스 DDR3, 전력 30% 더 줄였다

54나노 공정 활용 1Gb제품 개발

하이닉스반도체는 12일 기존 제품보다 전력소모량을 30% 가까이 줄인 2세대 DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.

이 제품은 기존 54나노(1나노는 10억분의 1m) 공정을 이용한 1기가비트(Gb) 용량으로 설계 회로를 단순화하고 내부 신호처리를 개선해 전력소모량을 줄인 게 특징이다.

제품의 동작전압은 기존 D램과 동일한 1.5V.하지만 전력소모량을 30% 줄였기 때문에 PC의 소비전력을 줄일 수 있는 친환경 반도체라는 설명이다. 회사 관계자는 "미국내 모든 서버에 이번 신제품을 사용하게 되면 연간 약 6억달러의 비용을 절감할 수 있다"며 "이는 곳 150만 그루의 나무를 심는 것과 같은 환경보호 효과가 있을 것"이라고 말했다.

시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 현재 DDR3 D램 시장에서 1기가비트 제품이 차지하는 비중은 약 87%에 달한다. DDR3 D램은 오는 2011년께 2기가비트 제품이 시장을 50% 이상 차지하기 전까지는 세계 D램 시장의 주력 제품으로 자리잡을 전망이다.

하이닉스는 이와 함께 44나노 기술을 사용한 2기가비트 DDR3 제품을 오는 4분기에 양산하기로 했다. 이에 따라 DDR3 시장 선점을 놓고 업계간 경쟁이 더욱 치열해질 전망이다. 세계 D램 시장 1위인 삼성전자는 지난 7월 46나노 공정을 사용한 2기가비트 DDR3 생산에 들어갔다. 최근에는 일본 엘피다가 올해 말까지 44나노 기술을 사용한 DDR3 제품을 선보이겠다고 공언하기도 했다. 하이닉스 관계자는 "연말까지 전체 D램 생산량에서 DDR3 비중을 50% 이상으로 확대해 차별화된 고부가가치 제품을 지속적으로 공급하겠다"고 말했다.

김현예 기자 yeah@hankyung.com