삼성전자 세계 최초 20나노급 낸드플래시 양산

삼성전자가 세계 최초로 20나노급 공정을 적용한 낸드플래시 메모리 양산에 들어갔다고 19일 밝혔다.

이번에 양산을 시작한 20나노급 32Gb MLC(Multi-Level Cell) 낸드플래시는 30나노급 MLC 낸드플래시보다 생산성이 약 50% 높고, 전용 컨트롤러 개발로 성능 향상은 물론 30나노급 낸드 제품과 동등 수준의 신뢰성도 확보했다.

20나노급 MLC 낸드플래시는 'SD 카드' 제품으로 먼저 출시됐다. 삼성전자는 20나노급 MLC 낸드 제품의 생산 비중을 지속 늘려 4GB(기가바이트)부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 운영할 예정이다.

또, moviNAND™까지 20나노급 MLC 낸드플래시를 순차적으로 적용해 기존 30나노급 낸드플래시 시장을 적극 전환해 나갈 계획이다.

특히, 삼성전자의 20나노급 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재한 8GB 이상 용량의 'SD 카드'제품은 메모리 카드 중에서 최고 쓰기 속도인 10MB/s 이상을 구현해 'Class 10' 규격을 만족한다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "생산성과 성능을 동시에 높인 20나노급 MLC 낸드플래시를 양산하게 돼 고성능, 대용량 메모리를 안정적으로 공급해 달라는 고객들의 요구에 적극적으로 대응할 수 있게 됐다"고 말했다.

조 사장은 "올해에 20나노급 낸드플래시로 스마트폰용 대용량·고성능 프리미엄 내장 스토리지 시장은 물론 고성능 메모리 카드 시장을 선점해, 플래시 메모리 사업 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 계획"이라고 밝혔다.

한경닷컴 권민경 기자 kyung@hankyung.com