日 엘피다와 샤프, 차세대 메모리 공동 개발

[한경속보]일본 엘피다메모리와 샤프가 신형 반도체 메모리를 공동 개발한다고 니혼게이자이신문이 13일 보도했다.

새로운 메모리는 휴대 정보 단말기 등에 사용하는 NAND형 플래시 메모리를 정보처리의 빠르기 및 소형화에서 앞선다.2013년까지 실용화해 단말기의 사용 편리성을 대폭 향상시킬 방침이다.

차세대 메모리는 도시바와 한국 삼성전자 등도 개발 중이다.이번에 새로 일본의 대형 반도체 메이커가 양산을 목표로 손을 잡아 개발 경쟁이 한층 치열해질 전망이다.

두 회사가 개발하는 제품은 저항 변화식 메모리(ReRam).이론상으로는 NAND형 플래시메모리의 1만배 속도로 정보를 입력할 수 있다.입력할 때 소비전력도 대폭 줄어든다.

샤프는 보유 중인 재료 기술 및 제조 방법에 엘피다의 미세 가공기술을 합칠 계획이다.독립행정법인인 산업기술종합연구소,도쿄대학,반도체 제조장치 메이커 등도 개발에 참가한다.

이들은 산업기술종합연구소의 연구 거점인 쓰쿠바센터에서 시작품 개발을 시작한다.회로 선폭은 현재 주요 메모리에 필적하는 30나노m대의 미세화 기술을 이용할 예정이다.

최인한 기자 janus@hankyung.com